Transistor a canale P, 19A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF9Z34N

Transistor a canale P, 19A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V - IRF9Z34N. Transistor a canale P, 19A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 55V. ID (T=25°C): 19A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. C(in): 620pF. Costo): 280pF. Tipo di canale: P. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Diodo Trr (min.): 54ms. Tipo di transistor: MOSFET. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. Protezione GS: NINCS. Id(imp): 68A. ID (T=100°C): 14A. ID (min): 25uA. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 68W. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. RoHS: sì. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Td(spento): 30 ns. Td(acceso): 13 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore Infineon (irf). Quantità in stock aggiornata il 07/06/2025, 15:25.