Transistor a canale P IRF9953PBF, SO8, -30V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Capacità del gate Ciss [pF]: 190pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -2.3A. Marcatura del produttore: F9953. Numero di terminali: 8:1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 20 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 9.7 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:42