Transistor a canale P IRF9630PBF-VIS, TO-220AB, -200V

Qnéuantità

Prezzo unitario

1-9

1.98€

10+

1.65€

Quantità in magazzino: 200

Transistor a canale P IRF9630PBF-VIS, TO-220AB, -200V. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -200V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.8 Ohms @ -3.9A. Capacità del gate Ciss [pF]: 700pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Dissipazione massima Ptot [W]: 74W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -6.5A. Marcatura del produttore: IRF9630PBF. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 28 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Prodotto originale del produttore: Vishay (ir). Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:37

Documentazione tecnica (PDF)

IRF9630PBF-VIS

16 parametri

Alloggiamento

TO-220AB

Tensione drain-source Uds [V]

-200V

Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]

0.8 Ohms @ -3.9A

Capacità del gate Ciss [pF]

700pF

Configurazione

montaggio a foro passante su PCB

Dissipazione massima Ptot [W]

74W

Famiglia di componenti

MOSFET, P-MOS

ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C

-6.5A

Marcatura del produttore

IRF9630PBF

Numero di terminali

Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]

28 ns

RoHS

sì

Temperatura massima

+150°C.

Tempo di accensione ton [nsec.]

12 ns

Tensione di rottura del gate Ugs [V]

-4V

Prodotto originale del produttore

Vishay (ir)