Transistor a canale P IRF9630, TO-220, 6.5A, 500uA, TO-220AB, 200V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 6.5A. Idss (massimo): 500uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 700pF. Carica: 29nC. Condizionamento: tubus. Costo): 200pF. DRUCE CORRENTE: -6.5A, -4A. Diodo Trr (min.): 200 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (T=100°C): 4A. ID (min): 100uA. Id(imp): 26A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 74W. Polarità: unipolari. Potenza: 74W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.8 Ohms. Resistenza allo stato: 0.8 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 12 ns. Td(spento): 28 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: -200V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43