Transistor a canale P IRF9622, 3A, 3A, TO-220, TO-220AB, 200V. ID (T=25°C): 3A. Idss (massimo): 3A. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. ID (T=100°C): 1.5A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 2.4 Ohms. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Harris. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43