Transistor a canale P IRF9610PBF, TO-220AB, -200V, 1.8A, -200V. Alloggiamento: TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): -200V. Corrente di assorbimento massima: 1.8A. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -200V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ -0.9A. Capacità del gate Ciss [pF]: 170pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Dissipazione massima Ptot [W]: 20W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -1.8A. Marcatura del produttore: IRF9610PBF. Numero di terminali: 3. Potenza: 20W. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 10 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 8 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: Vishay (ir). Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:06