Transistor a canale P IRF9610, TO-220, 1.8A, 500uA, TO-220AB, 200V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 1.8A. Idss (massimo): 500uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 170pF. Carica: 11nC. Condizionamento: tubus. Costo): 50pF. DRUCE CORRENTE: -1A, -1.75A. Diodo Trr (min.): 240 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (T=100°C): 1A. ID (min): 100uA. Id(imp): 7A. Marcatura del produttore: IRF9610PBF. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 20W. Polarità: unipolari. Potenza: 20W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Resistenza allo stato: 3 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 8 ns. Td(spento): 10 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: -200V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Vishay. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43