Transistor a canale P IRF9530NSTRLPBF, D2PAK. Alloggiamento: D2PAK. : migliorato. Assemblaggio/installazione: SMD. Confezione: bobina. DRUCE CORRENTE: -14A. Polarità: unipolari. Potenza: 3.8W. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET®. Tensione drain-source: -100V. Tipo di transistor: P-MOSFET. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 22:22