Transistor a canale P IRF9520N, 6.8A, 250uA, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 350pF. Costo): 110pF. Diodo Trr (min.): 100 ns. Funzione: Transistor MOSFET a canale P. ID (T=100°C): 4.1A. ID (min): 25uA. Id(imp): 27A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 48W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.48 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 14 ns. Td(spento): 28 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43