Transistor a canale P IRF7416PBF, SO8, -30V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.02 Ohms @ -5.6A. Capacità del gate Ciss [pF]: 1700pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -10A. Marcatura del produttore: F7416. Numero di terminali: 8:1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 59 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 18 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2.04V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:06