Transistor a canale P IRF7342, SO, SO-8. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Carica: 26nC. DRUCE CORRENTE: -3.4A. Equivalenti: IRF7342PBF. Funzione: IDM--27Ap. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2W. Polarità: unipolari. Potenza: 2W. Quantità per scatola: 2. Resistenza termica: 62.5K/W. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione drain-source: -55V. Tipo di canale: P. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 07:43