Transistor a canale P IRF7306TRPBF, SO8, -30V. Alloggiamento: SO8. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. : migliorato. Assemblaggio/installazione: SMD. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ -1.8A. Capacità del gate Ciss [pF]: 440pF. Confezione: bobina. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). DRUCE CORRENTE: -3.6A. Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -3.6A. Marcatura del produttore: F7306. Numero di terminali: 8:1. Polarità: unipolari. Potenza: 2W. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 25 ns. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET®. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 11 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -4V. Tensione drain-source: -30V. Tipo di transistor: P-MOSFET. Prodotto originale del produttore: Infineon. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:25