Transistor a canale P IRF7204, SO8. Alloggiamento: SO8. Assemblaggio/installazione: SMD. Carica: 25nC. DRUCE CORRENTE: -5.3A. Polarità: unipolari. Potenza: 2.5W. Resistenza termica: 50K/W. RoHS: sì. Tecnologia: HEXFET®. Tensione di gate-source: 12V, ±12V. Tensione drain-source: -20V. Tipo di transistor: P-MOSFET, HEXFET. Prodotto originale del produttore: Infineon (irf). Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 22:22