Transistor a canale P IRF7104, SO, SO-8, -20V. Alloggiamento: SO. Custodia (standard JEDEC): -. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.25 Ohms @ -1A. Capacità del gate Ciss [pF]: 290pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 2W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Funzione: 2xP-CH 20V. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -2.3A. Marcatura del produttore: F7104. Numero di terminali: 8:1. Numero di terminali: 8:1. Quantità per scatola: 2. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 90 ns. RoHS: no. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 40 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:27