Transistor a canale P IRF5305, TO-220, 31A, 250uA, TO-220AB, 55V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=25°C): 31A. Idss (massimo): 250uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 55V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1200pF. Carica: 42nC. Condizionamento: tubus. Costo): 520pF. DRUCE CORRENTE: -31A. Diodo Trr (min.): 71 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (T=100°C): 22A. ID (min): 25uA. Id(imp): 110A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 110W. Polarità: unipolari. Potenza: 110W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.06 Ohms. Resistenza termica abitativa: 1.4K/W. RoHS: sì. Spec info: Dynamic dv/dt Rating. Td(acceso): 14 ns. Td(spento): 39 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di gate-source: 20V, ±20V. Tensione drain-source: -55V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:00