Transistor a canale P IRF5210S, 38A, 250uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 100V. ID (T=25°C): 38A. Idss (massimo): 250uA. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 2860pF. Costo): 800pF. Diodo Trr (min.): 170 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (T=100°C): 24A. ID (min): 50uA. Id(imp): 140A. Marcatura sulla cassa: F5210S. Pd (dissipazione di potenza, massima): 3.8W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 14 ns. Td(spento): 72 ns. Tecnologia: HEXFET Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: International Rectifier. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 23:00