Transistor a canale P IRF5210PBF, -100V, 40A, TO-220AB. Tensione drain-source (Vds): -100V. Corrente di assorbimento massima: 40A. Alloggiamento: TO-220AB. Rds sulla resistenza attiva: 0.06 Ohms. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: transistor di potenza MOSFET. Prodotto originale del produttore: Infineon Technologies. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 19:23