Transistor a canale P FQB27P06TM, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V

Transistor a canale P FQB27P06TM, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.59€
5-49
1.31€
50-99
1.12€
100+
1.01€
Quantità in magazzino: 98

Transistor a canale P FQB27P06TM, 27A, 10uA, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 60V. ID (T=25°C): 27A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: D2PAK ( TO-263 ). Custodia (secondo scheda tecnica): D2PAK ( TO-263 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 1100pF. Costo): 510pF. Diodo Trr (min.): 105 ns. Funzione: commutazione ad alta velocità. ID (T=100°C): 19.1A. ID (min): 1uA. Id(imp): 102A. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 120W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.055 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 18 ns. Td(spento): 30 ns. Tecnologia: DMOS, QFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 16:41

Documentazione tecnica (PDF)
FQB27P06TM
29 parametri
ID (T=25°C)
27A
Idss (massimo)
10uA
Alloggiamento
D2PAK ( TO-263 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
D2PAK ( TO-263 )
Voltaggio Vds(max)
60V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
1100pF
Costo)
510pF
Diodo Trr (min.)
105 ns
Funzione
commutazione ad alta velocità
ID (T=100°C)
19.1A
ID (min)
1uA
Id(imp)
102A
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
120W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
0.055 Ohms
RoHS
Td(acceso)
18 ns
Td(spento)
30 ns
Tecnologia
DMOS, QFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
25V
Prodotto originale del produttore
Fairchild