Transistor a canale P FDS6675BZ, SO, -30V, 11A, 1uA, SO-8, 30 v. Alloggiamento: SO. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -30V. ID (T=25°C): 11A. Idss (massimo): 1uA. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.013 Ohms @ -11A. C(in): 1855pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 2470pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Costo): 355pF. Diodo Trr (min.): 42 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 2.5W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Funzione: Gamma VGS estesa (-25 V) per applicazioni alimentate a batteria. ID (T=100°C): n/a. ID (min): n/a. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -11A. Id(imp): 55A. Marcatura del produttore: -. Numero di terminali: 8:1. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 17.4m Ohms. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 200 ns. RoHS: sì. Spec info: FDS6675BZ. Td(acceso): 3 ns. Td(spento): 120ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 10 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 23:00