Transistor a canale P FDS4435A, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 9A. Idss (massimo): 10uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 2010pF. Costo): 590pF. Diodo Trr (min.): 36ns. ID (min): 1uA. Id(imp): 50A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.015 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 12 ns. Td(spento): 100 ns. Tecnologia: canale P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 23:00