Transistor a canale P FDS4435, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v

Transistor a canale P FDS4435, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.11€
5-49
0.92€
50-99
0.77€
100+
0.66€
Quantità in magazzino: 9

Transistor a canale P FDS4435, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 1604pF. Costo): 408pF. ID (min): 1uA. Id(imp): 50A. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.015 Ohms. RoHS: sì. Td(acceso): 13 ns. Td(spento): 42 ns. Tecnologia: canale P. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 23:00

Documentazione tecnica (PDF)
FDS4435
25 parametri
ID (T=25°C)
8.8A
Idss (massimo)
1uA
Alloggiamento
SO
Custodia (secondo scheda tecnica)
SO-8
Voltaggio Vds(max)
30 v
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
1604pF
Costo)
408pF
ID (min)
1uA
Id(imp)
50A
Numero di terminali
8:1
Pd (dissipazione di potenza, massima)
2.5W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
0.015 Ohms
RoHS
Td(acceso)
13 ns
Td(spento)
42 ns
Tecnologia
canale P
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
25V
Prodotto originale del produttore
Fairchild