Transistor a canale P FDN338P, 1.6A, 0.1uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V

Transistor a canale P FDN338P, 1.6A, 0.1uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.57€
5-49
0.47€
50-99
0.41€
100-199
0.37€
200+
0.32€
Quantità in magazzino: 92

Transistor a canale P FDN338P, 1.6A, 0.1uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V. ID (T=25°C): 1.6A. Idss (massimo): 0.1uA. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23. Voltaggio Vds(max): 20V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 451pF. Costo): 75pF. Funzione: Gestione della batteria. ID (min): n/a. Id(imp): 5A. Nota: serigrafia/codice SMD 338. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.5W. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.088 Ohms. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 16 ns. Tecnologia: Specified PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 1.5V. Vgs(esimo) min.: 0.4V. Voltaggio gate/source Vgs: 8V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 23:00

Documentazione tecnica (PDF)
FDN338P
24 parametri
ID (T=25°C)
1.6A
Idss (massimo)
0.1uA
Alloggiamento
SOT-23 ( TO-236 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
SOT-23
Voltaggio Vds(max)
20V
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
451pF
Costo)
75pF
Funzione
Gestione della batteria
Id(imp)
5A
Nota
serigrafia/codice SMD 338
Pd (dissipazione di potenza, massima)
0.5W
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
0.088 Ohms
Td(acceso)
10 ns
Td(spento)
16 ns
Tecnologia
Specified PowerTrench MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
1.5V
Vgs(esimo) min.
0.4V
Voltaggio gate/source Vgs
8V
Prodotto originale del produttore
Fairchild