Transistor a canale P FDD5614P, D-PAK ( TO-252 ), TO-252, -60V, 15A, 1uA, TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. Alloggiamento: D-PAK ( TO-252 ). Custodia (standard JEDEC): TO-252. Tensione drain-source Uds [V]: -60V. ID (T=25°C): 15A. Idss (massimo): 1uA. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ -4.5A. C(in): 759pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 759pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Costo): 90pF. Dissipazione massima Ptot [W]: 42W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. Funzione: Convertitore di tensione CC/CC. ID (T=100°C): 15A. ID (min): 1uA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -15A. Id(imp): 45A. Marcatura del produttore: FDD5614P. Marcatura sulla cassa: FDD5614P. Nota: Transistor con controllo a livello logico. Numero di terminali: 2. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 42W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.076 Ohms. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 34 ns. RoHS: sì. Td(acceso): 7 ns. Td(spento): 19 ns. Tecnologia: PowerTrench MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Temperatura massima: +175°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 14 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -3V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 3V. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Fairchild. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 09:19