Transistor a canale P FDC638P, SOT-23/6, -20V. Alloggiamento: SOT-23/6. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: -20V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.5A. Capacità del gate Ciss [pF]: 1160pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 1.6W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -4.5A. Marcatura del produttore: .638. Numero di terminali: 6. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 33 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 12 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -1.5V. Prodotto originale del produttore: Onsemi (fairchild). Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 21:45