Transistor a canale P DMP3020LSS, 12A, 1uA, SO, SO-8, 30 v

Transistor a canale P DMP3020LSS, 12A, 1uA, SO, SO-8, 30 v

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.73€
5-24
1.51€
25-49
1.39€
50-99
1.29€
100+
1.16€
Quantità in magazzino: 33

Transistor a canale P DMP3020LSS, 12A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 1uA. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 30 v. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 1802pF. Costo): 415pF. Diodo Trr (min.): 30 ns. Funzione: Bassa resistenza in conduzione, bassa tensione di soglia del gate, bassa capacità di ingresso. ID (T=100°C): 9A. ID (min): -. Id(imp): 80A. Marcatura sulla cassa: P3020LS. Numero di terminali: 8:1. Pd (dissipazione di potenza, massima): 2.5W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 0.0116 Ohms. Td(acceso): 5.1 ns. Td(spento): 46 ns. Tecnologia: SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Varie: Velocità di commutazione rapida, bassa perdita di ingresso/uscita. Vgs(esimo) massimo: 2V. Vgs(esimo) min.: 1V. Prodotto originale del produttore: Diodes Inc. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 11:43

DMP3020LSS
29 parametri
ID (T=25°C)
12A
Idss (massimo)
1uA
Alloggiamento
SO
Custodia (secondo scheda tecnica)
SO-8
Voltaggio Vds(max)
30 v
Assemblaggio/installazione
componente a montaggio superficiale (SMD)
C(in)
1802pF
Costo)
415pF
Diodo Trr (min.)
30 ns
Funzione
Bassa resistenza in conduzione, bassa tensione di soglia del gate, bassa capacità di ingresso
ID (T=100°C)
9A
Id(imp)
80A
Marcatura sulla cassa
P3020LS
Numero di terminali
8:1
Pd (dissipazione di potenza, massima)
2.5W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Rds sulla resistenza attiva
0.0116 Ohms
Td(acceso)
5.1 ns
Td(spento)
46 ns
Tecnologia
SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Varie
Velocità di commutazione rapida, bassa perdita di ingresso/uscita
Vgs(esimo) massimo
2V
Vgs(esimo) min.
1V
Prodotto originale del produttore
Diodes Inc.