Transistor a canale P BUZ906, 8A, 10mA, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V

Transistor a canale P BUZ906, 8A, 10mA, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
34.37€
5-9
33.05€
10-24
31.27€
25+
29.49€
Quantità in magazzino: 1

Transistor a canale P BUZ906, 8A, 10mA, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. ID (T=25°C): 8A. Idss (massimo): 10mA. Alloggiamento: TO-3 ( TO-204 ). Custodia (secondo scheda tecnica): TO-3. Voltaggio Vds(max): 200V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 734pF. Costo): 300pF. Funzione: Amplificatore di POTENZA AUDIO MOSFET. Numero di terminali: 2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: no. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: transistor complementare (coppia) BUZ901. Td(acceso): 120ns. Td(spento): 60 ns. Tecnologia: Transistor di potenza MOSFET a canale P. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione gate/sorgente (spenta) max.: 1.5V. Tensione gate/source (spenta) min.: 0.15V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 14V. Prodotto originale del produttore: Magnatech. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 08:57

Documentazione tecnica (PDF)
BUZ906
26 parametri
ID (T=25°C)
8A
Idss (massimo)
10mA
Alloggiamento
TO-3 ( TO-204 )
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-3
Voltaggio Vds(max)
200V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
734pF
Costo)
300pF
Funzione
Amplificatore di POTENZA AUDIO MOSFET
Numero di terminali
2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
125W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
no
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
transistor complementare (coppia) BUZ901
Td(acceso)
120ns
Td(spento)
60 ns
Tecnologia
Transistor di potenza MOSFET a canale P
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tensione gate/sorgente (spenta) max.
1.5V
Tensione gate/source (spenta) min.
0.15V
Tipo di canale
P
Tipo di transistor
MOSFET
Voltaggio gate/source Vgs
14V
Prodotto originale del produttore
Magnatech