Transistor a canale P BSS84LT1G-PD, SOT-23, TO-236AB, -50V. Alloggiamento: SOT-23. Custodia (standard JEDEC): TO-236AB. Tensione drain-source Uds [V]: -50V. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Capacità del gate Ciss [pF]: 36pF. Configurazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Dissipazione massima Ptot [W]: 0.225W. Famiglia di componenti: MOSFET, P-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: -0.13A. Marcatura del produttore: Pd (dissipazione di potenza, massima). Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 12 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 3.6 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: -2V. Prodotto originale del produttore: Onsemi. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:27