Transistor a canale P BSS84, SOT-23 ( TO-236 ), 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO236 ), 50V. Alloggiamento: SOT-23 ( TO-236 ). ID (T=25°C): 130mA. Idss (massimo): 46.4k Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): SOT-23 ( TO236 ). Voltaggio Vds(max): 50V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). C(in): 25pF. Corrente continua media: -130mA. Costo): 15pF. DRUCE CORRENTE: -130mA. Funzione: Direct interface to C-MOS, TTL, etc. ID (T=100°C): 75mA. ID (min): 10uA. Id(imp): 520mA. Marcatura sulla cassa: 11W. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 0.25W. Polarità: unipolari. Potenza: 0.25W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. Rds sulla resistenza attiva: 6 Ohms. Resistenza allo stato: 10 Ohms. RoHS: sì. Spec info: serigrafia/codice SMD 11W. Td(acceso): 3 ns. Td(spento): 7 ns. Tecnologia: Transistor D-MOS verticale in modalità potenziamento. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: -50V. Tipo di canale: P. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 0.8V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Nxp Semiconductors. Quantità minima: 10. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 13:31