Transistor a canale N VNS3NV04DPTR-E, 3.5A, 75uA, 0.12 Ohms, SO, SO-8, 45V. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 75uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.12 Ohms. Alloggiamento: SO. Custodia (secondo scheda tecnica): SO-8. Voltaggio Vds(max): 45V. Assemblaggio/installazione: componente a montaggio superficiale (SMD). Diodo Trr (min.): 107ns. ID (min): 30uA. Marcatura sulla cassa: S3NV04DP. Nota: serigrafia/codice SMD S3NV04DP. Pd (dissipazione di potenza, massima): 4W. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 90 ns. Td(spento): 450 ns. Tecnologia: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:08