Transistor a canale N VNP10N07, TO-220, 70V, 10A, 200uA, 0.10 Ohms, TO-220, 70V. Alloggiamento: TO-220. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 70V. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 200uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.10 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 70V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Capacità del gate Ciss [pF]: -. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 350pF. Diodo Trr (min.): 125 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 50W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. Funzione: MOSFET di potenza completamente autoprotetto. ID (min): 50uA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 10A. IGF: 50mA. Id(imp): 14A. Marcatura del produttore: VNP10N07-E. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 50W. Protezione GS: diodo Zener. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 900ns. RoHS: sì. Spec info: Limitazione di corrente lineare. Td(acceso): 50 ns. Td(spento): 230 ns. Tecnologia: OMNIFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Temperatura massima: +135°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 100 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 3V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:08