Transistor a canale N TK8A65D-STA4-Q-M, 10uA, 0.7 Ohms, TO-220FP, 2-10U1B, 650V. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.7 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): 2-10U1B. Voltaggio Vds(max): 650V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1350pF. Costo): 135pF. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). ID (min): -. Id(imp): 30Ap. Marcatura sulla cassa: K8A65D. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 60 ns. Td(spento): 75 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVII). Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:08