Transistor a canale N TK6A60D, 6A, 10uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 6A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220F. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 800pF. Costo): 100pF. Diodo Trr (min.): 1200 ns. Funzione: Alimentatori a commutazione (SMPS). Id(imp): 24A. Marcatura sulla cassa: K6A60D. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 40 ns. Td(spento): 60 ns. Tecnologia: Field Effect (TT-MOSVI). Temperatura di funzionamento: -...+150°C. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Toshiba. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:08