Transistor a canale N STW5NK100Z, 2.2A, 3.5A, 50uA, 2.7 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. ID (T=100°C): 2.2A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 2.7 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 1000V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1154pF. Costo): 106pF. Diodo Trr (min.): 605 ns. Funzione: protetto con il diodo Zener. ID (min): 1uA. Id(imp): 14A. Marcatura sulla cassa: W5NK100Z. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 125W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 22.5 ns. Td(spento): 51.5 ns. Tecnologia: SuperMESH3™ Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:08