Transistor a canale N STW28N65M2, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V

Transistor a canale N STW28N65M2, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
5.52€
5-14
4.46€
15-29
4.96€
30-59
4.73€
60+
4.29€
Quantità in magazzino: 51

Transistor a canale N STW28N65M2, 13A, 20A, 100uA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247, 650V. ID (T=100°C): 13A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.15 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 650V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1440pF. Costo): 60pF. Diodo Trr (min.): 384 ns. Funzione: circuiti di commutazione. ID (min): 1uA. Id(imp): 80A. Marcatura sulla cassa: 28N65M2. Pd (dissipazione di potenza, massima): 170W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 13.4 ns. Td(spento): 59 ns. Tecnologia: MDmesh™ M2 Power MOSFETs. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 25V. Quantità in stock aggiornata il 12/11/2025, 19:08

Documentazione tecnica (PDF)
STW28N65M2
27 parametri
ID (T=100°C)
13A
ID (T=25°C)
20A
Idss (massimo)
100uA
Rds sulla resistenza attiva
0.15 Ohms
Alloggiamento
TO-247
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-247
Voltaggio Vds(max)
650V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
1440pF
Costo)
60pF
Diodo Trr (min.)
384 ns
Funzione
circuiti di commutazione
ID (min)
1uA
Id(imp)
80A
Marcatura sulla cassa
28N65M2
Pd (dissipazione di potenza, massima)
170W
Protezione GS
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
Td(acceso)
13.4 ns
Td(spento)
59 ns
Tecnologia
MDmesh™ M2 Power MOSFETs
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
25V