Transistor a canale N STW20NK50Z, TO-247, 500V, 12.6A, 20A, 50uA, 0.23 Ohms, TO-247, 500V. Alloggiamento: TO-247. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 500V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.23 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 500V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.27 Ohms @ 8.5A. C(in): 2600pF. Capacità del gate Ciss [pF]: 2600pF. Condizionamento: tubus. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Costo): 328pF. DRUCE CORRENTE: 17A, 12.6A. Diodo Trr (min.): 355 ns. Dissipazione massima Ptot [W]: 190W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID (min): 1uA. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 17A. Id(imp): 68A. Marcatura del produttore: W20NK50Z. Marcatura sulla cassa: W20NK50Z. Numero di terminali: 3. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Polarità: unipolari. Potenza: 190W. Proprietà del semiconduttore: Protezione ESD. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 70 ns. RoHS: sì. Td(acceso): 28 ns. Td(spento): 70 ns. Tecnologia: SuperMESH™ Power MOSFET Zener-protected. Temperatura massima: +150°C.. Temperatura: +150°C. Tempo di accensione ton [nsec.]: 28 ns. Tensione di gate-source: ±30V. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Tensione drain-source: 500V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 30. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:58