Transistor a canale N STW18NM80, 10.71A, 17A, 100nA, 0.25 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 10.71A. ID (T=25°C): 17A. Idss (massimo): 100nA. Rds sulla resistenza attiva: 0.25 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1630pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 750pF. Funzione: circuiti di commutazione. ID (min): 10nA. Id(imp): 68A. Marcatura sulla cassa: 18NM80. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: HIGH dv/dt AND AVALANCHE CAPABILITIES. Tecnologia: MDmesh PpwerMOSFET. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 30. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:58