Transistor a canale N STW12NK80Z, 6.6A, 10.5A, 50uA, 0.65 Ohms, TO-247, TO-247, 800V. ID (T=100°C): 6.6A. ID (T=25°C): 10.5A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.65 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2620pF. Costo): 250pF. Diodo Trr (min.): 635 ns. Funzione: capacità ESD migliorata. ID (min): 1uA. Id(imp): 42A. Marcatura sulla cassa: W12NK80Z. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 190W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: CAPACITÀ dv/dt ESTREMAMENTE ELEVATA. Td(acceso): 30 ns. Td(spento): 70 ns. Tecnologia: transistor MOSFET di potenza SuperMESH™ protetto da diodo zener. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:58