Transistor a canale N STW11NK100Z, 5.2A, 8.3A, 50uA, 1.1 Ohms, TO-247, TO-247, 1000V. ID (T=100°C): 5.2A. ID (T=25°C): 8.3A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.1 Ohms. Alloggiamento: TO-247. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-247. Voltaggio Vds(max): 1000V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 3500pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 270pF. Diodo Trr (min.): 560 ns. Funzione: capacità dv/dt estremamente elevata, applicazioni di commutazione. ID (min): 1uA. Id(imp): 33.2A. Marcatura sulla cassa: W11NK100Z. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 230W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: Gate source ESD (HBM-C=100pF, R=1.5KW) 6000V. Td(acceso): 27 ns. Td(spento): 98 ns. Tecnologia: Zener - Protected SuperMESH™ PowerMOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 30. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:58