Transistor a canale N STP8NK80ZFP, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V

Transistor a canale N STP8NK80ZFP, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
2.20€
5-24
1.90€
25-49
1.69€
50-99
1.53€
100+
1.32€
Quantità in magazzino: 18

Transistor a canale N STP8NK80ZFP, 3.9A, 6.2A, 50uA, 1.3 Ohms, TO-220FP, TO220FP, 800V. ID (T=100°C): 3.9A. ID (T=25°C): 6.2A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1.3 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO220FP. Voltaggio Vds(max): 800V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1320pF. Costo): 143pF. Diodo Trr (min.): 460 ns. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. ID (min): 1uA. Id(imp): 24.8A. Marcatura sulla cassa: P8NK80ZFP. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 30W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 17 ns. Td(spento): 48 ns. Tecnologia: SuperMESH™Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:58

Documentazione tecnica (PDF)
STP8NK80ZFP
31 parametri
ID (T=100°C)
3.9A
ID (T=25°C)
6.2A
Idss (massimo)
50uA
Rds sulla resistenza attiva
1.3 Ohms
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO220FP
Voltaggio Vds(max)
800V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
1320pF
Costo)
143pF
Diodo Trr (min.)
460 ns
Funzione
Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener
ID (min)
1uA
Id(imp)
24.8A
Marcatura sulla cassa
P8NK80ZFP
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
30W
Protezione GS
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Td(acceso)
17 ns
Td(spento)
48 ns
Tecnologia
SuperMESH™Power MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) massimo
4.5V
Vgs(esimo) min.
3V
Voltaggio gate/source Vgs
30 v
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics