Transistor a canale N STP8NC70ZFP, 4.3A, 6.8A, 50uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 700V

Transistor a canale N STP8NC70ZFP, 4.3A, 6.8A, 50uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 700V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
5.87€
5-9
5.26€
10-24
4.65€
25+
4.35€
Quantità in magazzino: 3

Transistor a canale N STP8NC70ZFP, 4.3A, 6.8A, 50uA, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 700V. ID (T=100°C): 4.3A. ID (T=25°C): 6.8A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.9 Ohms. Alloggiamento: TO-220FP. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220FP. Voltaggio Vds(max): 700V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 2350pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 180pF. Diodo Trr (min.): 680 ns. Funzione: Zener-Protected. ID (min): 1uA. Id(imp): 27A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 40W. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 30 ns. Tecnologia: PowerMESH™III MOSFET. Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:58

Documentazione tecnica (PDF)
STP8NC70ZFP
29 parametri
ID (T=100°C)
4.3A
ID (T=25°C)
6.8A
Idss (massimo)
50uA
Rds sulla resistenza attiva
0.9 Ohms
Alloggiamento
TO-220FP
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220FP
Voltaggio Vds(max)
700V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
2350pF
Condizionamento
tubo di plastica
Costo)
180pF
Diodo Trr (min.)
680 ns
Funzione
Zener-Protected
ID (min)
1uA
Id(imp)
27A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
40W
Protezione GS
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
Td(acceso)
30 ns
Tecnologia
PowerMESH™III MOSFET
Temperatura
+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
50
Vgs(esimo) min.
3V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics