Transistor a canale N STP6NK60Z, 600V, 3.8A, 6A, TO-220, 50uA, 1 Ohm, TO-220, 600V. Vdss (tensione dallo scarico alla sorgente): 600V. ID (T=100°C): 3.8A. ID (T=25°C): 6A. Alloggiamento: TO-220. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 1 Ohm. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 905pF. Caratteristiche: -. Costo): 115pF. Diodo Trr (min.): 445 ns. Funzione: Transistor MOSFET di potenza protetto da Zener. ID (min): 1uA. Id @ Tc=25°C (corrente di scarico continua): 4A. Informazioni: -. MSL: -. Marcatura sulla cassa: P6NK60Z. Pd (dissipazione di potenza, massima): 104W. Polarità: MOSFET N. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RDS su (max) @ id, vgs: 2 Ohms / 2.8A / 10V. RoHS: sì. Serie: SuperMESH. Td(acceso): 14 ns. Td(spento): 47 ns. Tecnologia: SuperMESH Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di azionamento: 10V. Tensione gate/source Vgs max: -20V. Tipo di canale: N. Tipo di montaggio: THT. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 31/10/2025, 08:58