Transistor a canale N STP5NK100Z-ZENER, TO-220AB, 1 kV

Transistor a canale N STP5NK100Z-ZENER, TO-220AB, 1 kV

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-9
3.41€
10+
2.83€
Quantità in magazzino: 45

Transistor a canale N STP5NK100Z-ZENER, TO-220AB, 1 kV. Alloggiamento: TO-220AB. Custodia (standard JEDEC): -. Tensione drain-source Uds [V]: 1 kV. Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3.7 Ohms @ 1.75A. Capacità del gate Ciss [pF]: 1154pF. Configurazione: montaggio a foro passante su PCB. Dissipazione massima Ptot [W]: 125W. Famiglia di componenti: MOSFET, N-MOS. ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C: 3.5A. Marcatura del produttore: P5NK100Z. Numero di terminali: 3. Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]: 52 ns. RoHS: sì. Temperatura massima: +150°C.. Tempo di accensione ton [nsec.]: 23 ns. Tensione di rottura del gate Ugs [V]: 4.5V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:06

Documentazione tecnica (PDF)
STP5NK100Z-ZENER
16 parametri
Alloggiamento
TO-220AB
Tensione drain-source Uds [V]
1 kV
Assorbimento di corrente attraverso il resistore Rds [Ohm] @ Ids [A]
3.7 Ohms @ 1.75A
Capacità del gate Ciss [pF]
1154pF
Configurazione
montaggio a foro passante su PCB
Dissipazione massima Ptot [W]
125W
Famiglia di componenti
MOSFET, N-MOS
ID corrente di scarico (a) @ 25 ° C
3.5A
Marcatura del produttore
P5NK100Z
Numero di terminali
3
Ritardo allo spegnimento tf[nsec.]
52 ns
RoHS
Temperatura massima
+150°C.
Tempo di accensione ton [nsec.]
23 ns
Tensione di rottura del gate Ugs [V]
4.5V
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics