Transistor a canale N STP4NB80, 2A, 4A, 50uA, 3 Ohms, 800V. ID (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 4A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 3 Ohms. Voltaggio Vds(max): 800V. C(in): 700pF. Costo): 95pF. Diodo Trr (min.): 600 ns. Funzione: HIGH Current, HIGH Speed Switching. ID (min): 1uA. Id(imp): 16A. Pd (dissipazione di potenza, massima): 100W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. Td(acceso): 14 ns. Td(spento): 12 ns. Tecnologia: PowerMESH MOSFET. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24