Transistor a canale N STP24NF10, 18A, 26A, 10uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220, 100V

Transistor a canale N STP24NF10, 18A, 26A, 10uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220, 100V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
1.79€
5-24
1.52€
25-49
1.33€
50-99
1.21€
100+
1.05€
Quantità in magazzino: 90

Transistor a canale N STP24NF10, 18A, 26A, 10uA, 0.055 Ohms, TO-220, TO-220, 100V. ID (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 26A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.055 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 100V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 870pF. Condizionamento: tubo di plastica. Costo): 125pF. Diodo Trr (min.): 100us. Funzione: SWITCHING APPLICATION. ID (min): 1uA. Id(imp): 104A. Marcatura sulla cassa: P24NF10. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 85W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: Carica di input bassa. Td(acceso): 60 ns. Td(spento): 50 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tensione di soglia del diodo: 1.5V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Unità di condizionamento: 50. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24

Documentazione tecnica (PDF)
STP24NF10
35 parametri
ID (T=100°C)
18A
ID (T=25°C)
26A
Idss (massimo)
10uA
Rds sulla resistenza attiva
0.055 Ohms
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220
Voltaggio Vds(max)
100V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
870pF
Condizionamento
tubo di plastica
Costo)
125pF
Diodo Trr (min.)
100us
Funzione
SWITCHING APPLICATION
ID (min)
1uA
Id(imp)
104A
Marcatura sulla cassa
P24NF10
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
85W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
Carica di input bassa
Td(acceso)
60 ns
Td(spento)
50 ns
Tecnologia
STripFET II POWER MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+175°C
Tensione di soglia del diodo
1.5V
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Unità di condizionamento
50
Vgs(esimo) massimo
4 v
Vgs(esimo) min.
2V
Voltaggio gate/source Vgs
20V
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics