Transistor a canale N STP20NM60FD, 12.6A, 20A, 10uA, 0.26 Ohms, TO-220, TO-220AB, 600V. ID (T=100°C): 12.6A. ID (T=25°C): 20A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.26 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220AB. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1300pF. Costo): 500pF. Diodo Trr (min.): 240 ns. Funzione: Bassa capacità di gate. ID (min): 1uA. Id(imp): 80A. Marcatura sulla cassa: P20NM60FD. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 192W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: ID pulse 80A, HIGH dv/dt. Td(acceso): 25 ns. Td(spento): 8 ns. Tecnologia: FDmesh™ Power MOSFET (with fast diode). Temperatura: +150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24