Transistor a canale N STP16NF06L, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220, 60V

Transistor a canale N STP16NF06L, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220, 60V

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
0.94€
5-24
0.79€
25-49
0.70€
50-99
0.63€
100+
0.53€
Equivalenza disponibile
Quantità in magazzino: 69

Transistor a canale N STP16NF06L, 11A, 16A, 10uA, 0.08 Ohms, TO-220, TO-220, 60V. ID (T=100°C): 11A. ID (T=25°C): 16A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.08 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 60V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 345pF. Costo): 72pF. Diodo Trr (min.): 50 ns. ID (min): 1uA. Id(imp): 64A. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 45W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Spec info: Low Gate Charge. Td(acceso): 10 ns. Td(spento): 20 ns. Tecnologia: STripFET II POWER MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) min.: 1V. Voltaggio gate/source Vgs: 16V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24

Documentazione tecnica (PDF)
STP16NF06L
29 parametri
ID (T=100°C)
11A
ID (T=25°C)
16A
Idss (massimo)
10uA
Rds sulla resistenza attiva
0.08 Ohms
Alloggiamento
TO-220
Custodia (secondo scheda tecnica)
TO-220
Voltaggio Vds(max)
60V
Assemblaggio/installazione
montaggio a foro passante su PCB
C(in)
345pF
Costo)
72pF
Diodo Trr (min.)
50 ns
ID (min)
1uA
Id(imp)
64A
Numero di terminali
3
Pd (dissipazione di potenza, massima)
45W
Protezione GS
no
Protezione drain-source
diodo Zener
Quantità per scatola
1
RoHS
Spec info
Low Gate Charge
Td(acceso)
10 ns
Td(spento)
20 ns
Tecnologia
STripFET II POWER MOSFET
Temperatura di funzionamento
-55...+150°C
Tipo di canale
N
Tipo di transistor
MOSFET
Vgs(esimo) min.
1V
Voltaggio gate/source Vgs
16V
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics

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