Transistor a canale N STP12NM50, 7.5A, 12A, 10uA, 0.3 Ohms, TO-220, TO-220, 550V. ID (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 12A. Idss (massimo): 10uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.3 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 550V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1000pF. Costo): 250pF. Diodo Trr (min.): 270 ns. Funzione: HIGH dv/dt, Low Gate Capacitance. ID (min): 1uA. Id(imp): 48A. Marcatura sulla cassa: P12NM50. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 160W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 20 ns. Tecnologia: MDmesh Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -65...+150°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24