Transistor a canale N STP110N8F6, TO-220

Transistor a canale N STP110N8F6, TO-220

Qnéuantità
Prezzo unitario
1-4
7.42€
5-9
6.11€
10-19
5.87€
20-49
5.71€
50+
5.52€
Quantità in magazzino: 5

Transistor a canale N STP110N8F6, TO-220. Alloggiamento: TO-220. Assemblaggio/installazione: THT. Carica: 150nC. DRUCE CORRENTE: 110A. Polarità: unipolari. Potenza: 200W. RoHS: sì. Tecnologia: STripFET. Temperatura di funzionamento: -55...175°C. Tensione di gate-source: ±20V. Tensione drain-source: 80V. Tipo di transistor: N-MOSFET. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 02/01/2026, 03:26

STP110N8F6
13 parametri
Alloggiamento
TO-220
Assemblaggio/installazione
THT
Carica
150nC
DRUCE CORRENTE
110A
Polarità
unipolari
Potenza
200W
RoHS
Tecnologia
STripFET
Temperatura di funzionamento
-55...175°C
Tensione di gate-source
±20V
Tensione drain-source
80V
Tipo di transistor
N-MOSFET
Prodotto originale del produttore
Stmicroelectronics