Transistor a canale N STP10NK60Z, TO-220, 5.7A, 10A, 50uA, 0.75 Ohms, TO-220, 600V. Alloggiamento: TO-220. ID (T=100°C): 5.7A. ID (T=25°C): 10A. Idss (massimo): 50uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.75 Ohms. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 600V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 1370pF. Condizionamento: tubus. Costo): 156pF. DRUCE CORRENTE: 5.7A. Diodo Trr (min.): 570 ns. Funzione: Zener-Protected. ID (min): 1uA. Id(imp): 36A. Marcatura sulla cassa: P10NK60Z. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 115W. Polarità: unipolari. Potenza: 115W. Proprietà del semiconduttore: Protezione ESD. Protezione GS: sì. Protezione drain-source: diodo Zener. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 55 ns. Td(spento): 18 ns. Tecnologia: Zener-Protected SuperMESH]Power MOSFET. Temperatura di funzionamento: -55...+150°C. Tensione di gate-source: ±30V. Tensione drain-source: 600V. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4.5V. Vgs(esimo) min.: 3V. Voltaggio gate/source Vgs: 30 v. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24