Transistor a canale N STP100N8F6, 70A, 100A, 100uA, 0.008 Ohms, TO-220, TO-220, 80V. ID (T=100°C): 70A. ID (T=25°C): 100A. Idss (massimo): 100uA. Rds sulla resistenza attiva: 0.008 Ohms. Alloggiamento: TO-220. Custodia (secondo scheda tecnica): TO-220. Voltaggio Vds(max): 80V. Assemblaggio/installazione: montaggio a foro passante su PCB. C(in): 5955pF. Costo): 244pF. Diodo Trr (min.): 38 ns. Funzione: circuiti di commutazione. ID (min): -. Id(imp): 400A. Marcatura sulla cassa: 100N8F6. Numero di terminali: 3. Pd (dissipazione di potenza, massima): 176W. Protezione GS: no. Protezione drain-source: sì. Quantità per scatola: 1. RoHS: sì. Td(acceso): 33 ns. Td(spento): 103 ns. Tecnologia: STripFET™ F6 technology. Temperatura di funzionamento: -55...+175°C. Tipo di canale: N. Tipo di transistor: MOSFET. Vgs(esimo) massimo: 4 v. Vgs(esimo) min.: 2V. Voltaggio gate/source Vgs: 20V. Prodotto originale del produttore: Stmicroelectronics. Quantità in stock aggiornata il 13/11/2025, 15:24